Образование фиксированного заряда в SiO2, полученным пирогенным окислением кремния

Abstract

Приведены результаты исследования влияния твердофазной рекристаллизацией механически нарушенного слоя кремния с применением быстрой термообработки на формирование фиксированного заряда в SiO2 при пирогенном окислении кремния. Показано, что это приводит к уменьшению поверхностного потенциала по площади пластин и позволяет уменьшить остаточный фиксированный заряд в двуокиси кремния в полтора раза. Снижение поверхностного потенциала по площади пластин указывает на улучшения свойств границы раздела кремний-двуокись кремния, а снижение фиксированного заряда говорит о повышении однородности микроструктуры поверхностного слоя двуокиси кремния, образующегося за счет механически нарушенного слоя на рабочей стороне пластины