Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302394| Title: | Моделирование normaly-off HEMT-транзистора на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN |
| Authors: | Шохонов, Д. А. Луценко, Е. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2023 |
| Citation: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 396-398. |
| Abstract: | Представлены результаты моделирования нормально-закрытого режима работы HEMT-транзистора на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN с толщиной слоя AlN 1 нм. Для достижения нормально-закрытого состояния используется метод формирования слоя p-GaN толщиной 40 нм под затвором. Расчеты показывают, что нормально-закрытое состояние достигается при использовании относительно тонких слоев AlGaN с невысоким содержанием Al. Нормально-закрытое состояние транзистора было получено для следующих параметров моделируемой структуры: 15% Al – AlGaN 18 нм, 18% Al – AlGaN 14 нм, 20% Al – AlGaN 12 нм, 22% Al – AlGaN 11 нм, 25% Al – AlGaN 10 нм |
| Description: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302394 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
| Appears in Collections: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 396-398.pdf | 356,1 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.