Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302394Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Шохонов, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T06:47:01Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T06:47:01Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 396-398. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302394 | - |
| dc.description | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования нормально-закрытого режима работы HEMT-транзистора на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN с толщиной слоя AlN 1 нм. Для достижения нормально-закрытого состояния используется метод формирования слоя p-GaN толщиной 40 нм под затвором. Расчеты показывают, что нормально-закрытое состояние достигается при использовании относительно тонких слоев AlGaN с невысоким содержанием Al. Нормально-закрытое состояние транзистора было получено для следующих параметров моделируемой структуры: 15% Al – AlGaN 18 нм, 18% Al – AlGaN 14 нм, 20% Al – AlGaN 12 нм, 22% Al – AlGaN 11 нм, 25% Al – AlGaN 10 нм | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Моделирование normaly-off HEMT-транзистора на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 396-398.pdf | 356,1 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.