Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383| Title: | Формирование слоев SiC на структурах поли-Si/Si3N4/SiO2/Si |
| Authors: | Полонский, Н. В. Лобанок, М. В. Гайдук, П. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Citation: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 366-368. |
| Abstract: | Методом резерфордовского обратного рассеяния установлено, что вакуумная карбидизация структур поли-Si/Si3N4/SiO2/Si приводит к формированию слоёв SiC толщиной 20-45 нм. Методом инфракрасной спектрометрии обнаружена полоса пропускания при 799 см-1, что соответствует валентным колебаниям связи Si-C. Установлено, что слоевое сопротивление SiC после 10 – 20 мин карбидизации составляет 450 и 2200 Ом/□ соответственно |
| Description: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383 |
| Sponsorship: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
| Appears in Collections: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 366-368.pdf | 452,12 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.