Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T06:46:59Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T06:46:59Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 366-368. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383 | - |
| dc.description | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния | |
| dc.description.abstract | Методом резерфордовского обратного рассеяния установлено, что вакуумная карбидизация структур поли-Si/Si3N4/SiO2/Si приводит к формированию слоёв SiC толщиной 20-45 нм. Методом инфракрасной спектрометрии обнаружена полоса пропускания при 799 см-1, что соответствует валентным колебаниям связи Si-C. Установлено, что слоевое сопротивление SiC после 10 – 20 мин карбидизации составляет 450 и 2200 Ом/□ соответственно | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Формирование слоев SiC на структурах поли-Si/Si3N4/SiO2/Si | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 366-368.pdf | 452,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.