Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302370
Заглавие документа: Предэпитаксиальная обработка подложек GaAs для создания компонентной базы СВЧ микроэлектроники
Авторы: Корякин, С. В.
Михалёнок, Е. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2023
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 331-333.
Аннотация: В работе проведено исследование качества поверхности пластин GaAs на различных этапах технологического маршрута обработки полупроводниковых пластин. Предложена методика предэпитаксиальной обработки пластин GaAs, обеспечивающая требуемое для жидкофазной эпитаксии качество поверхности подложек. Исследованы электронные транспортные свойства PHEMT структуры выращенной на обработанной пластине GaAs. Показано, что качество поверхности полученных пластин удовлетворяет требованиям, предъявляемым к пластинам для выращивания высококачественных гетероструктур СВЧ микроэлектроники
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302370
Финансовая поддержка: Работа выполнена при финансовой поддержке научно-технической программы Союзного государства «Разработка перспективных базовых технологических процессов получения функциональных материалов, структур, компонентов и модулей для высокоэффективных изделий фотоники в Союзном государстве» (Шифр «Компонент Ф»).
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Номер, дата депонирования: №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Располагается в коллекциях:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
331-333.pdf380,75 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.