Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302370Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Корякин, С. В. | |
| dc.contributor.author | Михалёнок, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T06:46:56Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T06:46:56Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 331-333. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302370 | - |
| dc.description | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния | |
| dc.description.abstract | В работе проведено исследование качества поверхности пластин GaAs на различных этапах технологического маршрута обработки полупроводниковых пластин. Предложена методика предэпитаксиальной обработки пластин GaAs, обеспечивающая требуемое для жидкофазной эпитаксии качество поверхности подложек. Исследованы электронные транспортные свойства PHEMT структуры выращенной на обработанной пластине GaAs. Показано, что качество поверхности полученных пластин удовлетворяет требованиям, предъявляемым к пластинам для выращивания высококачественных гетероструктур СВЧ микроэлектроники | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке научно-технической программы Союзного государства «Разработка перспективных базовых технологических процессов получения функциональных материалов, структур, компонентов и модулей для высокоэффективных изделий фотоники в Союзном государстве» (Шифр «Компонент Ф»). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Предэпитаксиальная обработка подложек GaAs для создания компонентной базы СВЧ микроэлектроники | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 331-333.pdf | 380,75 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.