Logo BSU

Поиск


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1051-1060 из 1649.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2001Генерационно - рекомбинационный механизм прыжкового обмена зарядами в полупроводниках с зоной глубокихуровнейЖуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерэк, П.; Ковальски, М.; Родзик, А.; Шостак, Ю. А.; Сидоренко, Ю. В.
2001Отжиг ВТСП материалов Bi(Pb)2223, облученных гамма-квантами СоКоршунов, Ф. П.; Шешолко, В. К.; Гуринович, В. А.
2001Влияние ультрадисперсных алмазов на злектрокристаллизацию меди в поле рентгеновского излученияВойна, В. В.; Злоцкий, С. В.; Колодинский, А. М.; Колошкин, Э. П.
1999Контроллер управления расходами газов в технологических процессах ионно-плазменного и ионно-лучевого осаждения многослойных покрытийБурмаков, А. П.; Игнатенко, И. И.; Коротков, К. Б.; Чёрный, В. Е.
2001The effect of ionizing radiation on the structures formed on the base of silicon with the addition of rare-earth and isovalent impuritiesBrinkevich, D. I.; Petrov, V. V.; Prosolovich, V. S.; Yankovski, Yu. N.
1999Defects in Cu(lnGa)Se2/CdS heterostructure films induced by hydrogen ion implantationYakushev, M. V.; Tomlinson, R. D.; Hill, А. E.; Pilkington, R. D.; Mudryi, A. V.; Bodnar, I. V.; Victorov, L. A.; Gremenok, V. F.; Shakin, L. A.; Patuk, A. I.
1999Структура и электрические свойства пленок TiB2, полученных методом магнетронного распыленияДраненко, А. С.; Дворина, Л. А.
1999Изменение типа фазового перехода в (CH3)2NH2AI(S04)2-6H20 под влиянием у-облученияШелег, А. У.; Декола, Т. И.; Теханович, Н. П.
1999Генерация электрон-дырочных пар в алмазе при облучении электронамиШаршунов, Д. В.
1999Влияние электроискровых покрытий на развитие процессов деформации и разрушения на мезоуровне в стали при активном нагруженииПанин, С. В.; Кашин, О. А.; Шаркеев, Ю. П.