Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204266| Заглавие документа: | Структура и электрические свойства пленок TiB2, полученных методом магнетронного распыления |
| Другое заглавие: | Structure and electrical properties of TIB2 films deposited by magnetron Sputtering / A. S. Dranenko, L. A. Dvorina |
| Авторы: | Драненко, А. С. Дворина, Л. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 52-53. |
| Аннотация: | Приведены и обсуждены результаты исследования кристаллической структуры и электросопротивления тонких пленок TiB2, полученных магнетронным распылением. Изучено влияние стехиометрии и толщины пленок на их электросопротивление. Экспериментальные результаты обработаны в рамках теории Фукса - Зондгеймера. Это позволило рассчитать параметры электропроводимости в диффузном приближении. |
| Аннотация (на другом языке): | The strong covalent links between atoms In titanium diborlde provides Its high chemical stability, stability under nperature effect and agressife media, mechanical hardness. In view of the low electric resistivity and low temperature electric WMitrty coefficient have made them perspective In the microelectronics. Titanium diborlde thin films can be widely applied as *»on barrier, Shothy's barrier, resistant, contact layers In the advanced metallization The films were prepared by the direct owrtmagnetron sputtering titanium diborlde targets, produced by hot forming of the highly purified powder TiB2 • Itlsshownthatfilms deposited on the substrate at Tp= 333 - 543K are amorphous. The temperature o f crystallization Wlstructure of the crystalline phase depend on the film thickness and admixtures of residual gases in the chamber. Annealing of these films at the temperature in the range of 973 - 1273K results in the crystallization of hexagonal TiB2 phase AIB2 type. Wation of the resistivity value Is stipulated by the composition of amorphous boride thin films TiB2, where 1,6 < x < 3,5 is fcaer increasing 2 character and this course p(x) of crystalline films is not monotonie. The resistivity ps of thin amorphous TiB2 І» Is determined as a function of thickness (d). Using relations from Fuchs -Sondhelmer's theory of electric conduction in thin •m we obtain a linear dependence of values p x d, product versus d, which increasing with film thickness. From the angle І0» of the draws lines and on size of section cut off axis of ordinates the bulk resis- tivity and mean free path of electron are Waiiwd the approximation of diffuse. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204266 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.