Logo BSU

Поиск


Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1001-1010 из 1649.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2019Текстура и остаточные напряжения в поверхностных слоях мишеней из сплава ВТ8 при облучении сильноточными импульсными электронными пучкамиШулов, В. А.; Быценко, О. А.; Теряев, Д. А.; Стешенко, И. Г.; Перлович, Ю. А.; Исаенкова, М. Г.; Фесенко, В. А.
2019Характеризация методом рор процесса формирования слоев силицида платины при быстрой термообработке системы платина-кремнийСолодуха, В. А.; Мильчанин, О. В.; Пилипенко, В. А.; Ушаков, И. В.; Горушко, В. А.
2019Structural and emitting properties of Zinc Oxide nanocrystals synthesized by high-fluence ion implantationParkhomenko, I. N.; Vlasukova, L. A.; Komarov, F. F.; Makhavikou, M.; Milchanin, O. V.; Wendler, E.; Ronning, C.; Zaph, M.; Korolev, D. S.
2019Study of the Effect of Potential Difference on the Phase Composition of Nanostructured Films Based on CdSeOmarova, A.; Kadyrzhanov, K. K.
2019Investigation of the effect of irradiation on the change in the phase composition of cobalt-zinc nanostructuresZikirina, A.; Kadyrzhanov, K. K.
2019Использование слабого магнитного поля в мессбауэровских исследованиях сплава 5БДСР, модифицированного мощным ионным пучкомНазипов, Р. А.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.; Шустов, В. А.; Дулов, Е. Н.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2019Формирование и параметры фотоактивных центров в имплантированных ионами гелия алмазахХомич, А. А.; Хмельницкий, Р. А.; Болдырев, К. Н.; Поклонская, О. Н.; Дравин, В. А.; Власов, И. И.
2019Спектральные особенности ионно-модифицированных слоев в кварцевых стеклах после имплантации Cr+, Ag+, In+, Ar+, и Xe+Дешковская, А. А.
2019Трансформация люминесцентных свойств индоцианина зеленого при сопряжении с квантовыми точками Ag2S/TGAКондратенко, Т. С.; Гревцева, И. Г.; Овчинников, О. В.; Смирнов, М. С.; Асланов, С. В.