Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292885| Title: | Зависимость ИК-поглощения структуры Si/SiO2/Si от уровня легирования Si-слоев |
| Other Titles: | Dependence of the IR-absorption of the Si/SiO2/Si structure on the doping level of the silicon layers / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk |
| Authors: | Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 476-481. |
| Abstract: | Методом конечных разностей во временной области получены спектры поглощения инфракрасного излучения для структур Si/SiO2/Si с поверхностным островковым Si-слоем различного типа и уровня легирования. Обнаружено, что при легировании островкового слоя от 3×10 19 см-3 до 8×10 19 см-3 ширина полосы с интенсивностью поглощения выше 70% в спектре поглощения структуры Si/SiO2/n+ -Si составила более 16 мкм. Показано, что структура с подложкой р-типа, легированной до 5×10 19 см-3 и островковым Si-слоем n-типа, легированным до 7×10 19 см-3 поглощает более 75% падающего на него излучения в диапазоне 4–20 мкм. Установлено, что использование в качестве островкового слоя как нелегированного кремния, так и материала с большим количеством носителей заряда (металл) резко уменьшает эффективность поглощения излучения структурой в исследованном диапазоне |
| Abstract (in another language): | The absorption spectra of infrared radiation of Si/SiO2/Si structures with an insular surface layer are calculated using the finite difference time domain method. The absorption spectra were modeled depending on the doping level of the silicon island layer. It is established that the doping level of the silicon island layer affects the absorption value of structures. It is shown that a wide absorption band (more than 16 microns) with an intensity of more than 75% occurs at the doping level of the silicon island layer in the range of 3×10 19 cm-3 –8×10 19 cm-3. It is shown that a variant of the structure with a p-type substrate doped to 5×10 19 cm-3 and an island Si-layer of n-type doped to 7×10 19 cm-3 absorbs more than 75% in the range of 4–20 microns. It is found that the use an island layer of unalloyed silicon or a material with a large number of charge carriers (metal) can affect a decrease in the absorption intensity of the structure |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292885 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Исследования выполнены в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ ГР 20221052) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 476-481.pdf | 684,06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.