Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292857| Title: | Изучение морфологии буферных слоев пористого кремния для гетероэпитаксии нитрида галлия |
| Other Titles: | Studying the morphology of porous silicon buffer layers for gallium nitride heteroepitax / N. L. Grevtsov, U.P. Lopato, V.P. Bondarenko |
| Authors: | Гревцов, Н. Л. Лопато, У. П. Бондаренко, В. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 347-352. |
| Abstract: | Исследованы закономерности формирования пористого кремния для использования в качестве буферных слоев для гетероэпитаксии нитрида галлия. Установлено влияние режимов обработки (продолжительности и плотности тока анодирования) на пористость, плотность пор и геометрические размеры пор. Отмечено, что двухслойные буферные слои на основе пористого кремния обеспечивают лучшее структурное совершенство эпитаксиальных пленок нитрида галлия по сравнению с их однослойными аналогами |
| Abstract (in another language): | Porous silicon formation specifics for use as buffer layers for gallium nitride heteroepitaxy are investigated. The influence of processing parameters (duration and current density) on the porosity, spatial distribution density and geometric dimensions of pores is established. It is noted that double-layer buffers based on porous silicon provide better structural perfection of epitaxial films of gallium nitride compared to their single-layer counterparts |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292857 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Представленные исследования выполнены в рамках задания 3.1.4 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций», подпрограмма «Микро- и наноэлектроника» |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 347-352.pdf | 2,57 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.