Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292857Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | |
| dc.contributor.author | Лопато, У. П. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 347-352. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292857 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Исследованы закономерности формирования пористого кремния для использования в качестве буферных слоев для гетероэпитаксии нитрида галлия. Установлено влияние режимов обработки (продолжительности и плотности тока анодирования) на пористость, плотность пор и геометрические размеры пор. Отмечено, что двухслойные буферные слои на основе пористого кремния обеспечивают лучшее структурное совершенство эпитаксиальных пленок нитрида галлия по сравнению с их однослойными аналогами | |
| dc.description.sponsorship | Представленные исследования выполнены в рамках задания 3.1.4 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций», подпрограмма «Микро- и наноэлектроника» | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Изучение морфологии буферных слоев пористого кремния для гетероэпитаксии нитрида галлия | |
| dc.title.alternative | Studying the morphology of porous silicon buffer layers for gallium nitride heteroepitax / N. L. Grevtsov, U.P. Lopato, V.P. Bondarenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Porous silicon formation specifics for use as buffer layers for gallium nitride heteroepitaxy are investigated. The influence of processing parameters (duration and current density) on the porosity, spatial distribution density and geometric dimensions of pores is established. It is noted that double-layer buffers based on porous silicon provide better structural perfection of epitaxial films of gallium nitride compared to their single-layer counterparts | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 347-352.pdf | 2,57 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.