Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292855
Title: | Моделирование теплопереноса в наноразмерных структурах электроники |
Other Titles: | Modeling of heat transfer in nanosized structures of electronics / V. I. Belko |
Authors: | Белько, В. И. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2022 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 338-342. |
Abstract: | Выполнен молекулярно-динамический расчет коэффициента теплопроводности в сплошном кремнии и в тонких кремниевых слоях с использованием неравновесного прямого метода. Для случая тонкого слоя проведен расчет коэффициента теплопроводности в продольном и в поперечном направлениях. Коэффициенты теплопроводности в тонком слое в поперечном направлении оказались несколько выше, чем коэффициенты в продольном направлении |
Abstract (in another language): | A molecular-dynamic calculations of the thermal conductivity coefficient in bulk silicon and in thin silicon layers were performed using the nonequilibrium direct method. For the case of a thin layer, the thermal conductivity coefficient was calculated in the longitudinal and transverse directions. The thermal conductivity coefficients in a thin layer in the transverse direction turned out to be slightly higher than the coefficients in the longitudinal direction |
Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292855 |
ISBN: | 978-985-881-440-3 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
338-342.pdf | 423,19 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.