Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292855Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Белько, В. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 338-342. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292855 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Выполнен молекулярно-динамический расчет коэффициента теплопроводности в сплошном кремнии и в тонких кремниевых слоях с использованием неравновесного прямого метода. Для случая тонкого слоя проведен расчет коэффициента теплопроводности в продольном и в поперечном направлениях. Коэффициенты теплопроводности в тонком слое в поперечном направлении оказались несколько выше, чем коэффициенты в продольном направлении | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование теплопереноса в наноразмерных структурах электроники | |
| dc.title.alternative | Modeling of heat transfer in nanosized structures of electronics / V. I. Belko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A molecular-dynamic calculations of the thermal conductivity coefficient in bulk silicon and in thin silicon layers were performed using the nonequilibrium direct method. For the case of a thin layer, the thermal conductivity coefficient was calculated in the longitudinal and transverse directions. The thermal conductivity coefficients in a thin layer in the transverse direction turned out to be slightly higher than the coefficients in the longitudinal direction | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 338-342.pdf | 423,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.