Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844| Заглавие документа: | Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами |
| Другое заглавие: | Impedance of transition metal/n-Si barrier structures irradiated with alpha particles / N. A. Poklonski, K. V. Usenko, A. I. Kovalev, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovski |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Усенко, К. В. Ковалев, А. И. Горбачук, Н. И. Ластовский, С. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 290-295. |
| Аннотация: | Методом импедансной спектроскопии исследованы диоды Шоттки 5КЭФ-0.9, 5.5КЭФ-1 (Mo/n-Si) и 8КЭФ-2.7 (Pd/n-Si) производства ОАО «Интеграл». Измерения индуктивности проводились на исходных диодах и диодах, облученных альфа-частицами с кинетической энергией Eα ≤ 5.147 МэВ. На переменном токе в интервале частот от 20 Гц до 2 МГц определены значения максимумов индуктивности диодов Рисунок 4. Поверхность пленки ПЭТФ, облученной ионами фосфора с энергией 60 кэВ и дозой 2000 мкКл при соответствующих им постоянных токах смещения 10 и 40 мкА. Получены зависимости максимума низкочастотной индуктивности от флюенса облучения |
| Аннотация (на другом языке): | Schottky diodes Mo/n-Si (epitaxial layer thin 5 μm, resistivity 0.9 Ohm·cm and 5.5 μm, resistivity 1 Ohm·cm) and Pd/n-Si (epitaxial layer thin 8 μm, resistivity 2.7 Ohm·cm) produced by JSC “Integral” were studied by impedance spectroscopy. Inductance measurements were carried out on the as manufactured diodes and diodes irradiated with alpha particles with kinetic energy Eα ≤ 5.147 MeV. The maximum values of the inductance of the Schottky diodes at the corresponding DC bias currents of 10 and 40 µA were measured on AC in the frequency range from 20 Hz to 2 MHz. The dependences of the maximum low-frequency inductance on the irradiation fluence are obtained |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 290-295.pdf | 819,04 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.