Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами

Поклонский, Н. А.; Усенко, К. В.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844

Title:	Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами
Other Titles:	Impedance of transition metal/n-Si barrier structures irradiated with alpha particles / N. A. Poklonski, K. V. Usenko, A. I. Kovalev, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovski
Authors:	Поклонский, Н. А. Усенко, К. В. Ковалев, А. И. Горбачук, Н. И. Ластовский, С. Б.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2022
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 290-295.
Abstract:	Методом импедансной спектроскопии исследованы диоды Шоттки 5КЭФ-0.9, 5.5КЭФ-1 (Mo/n-Si) и 8КЭФ-2.7 (Pd/n-Si) производства ОАО «Интеграл». Измерения индуктивности проводились на исходных диодах и диодах, облученных альфа-частицами с кинетической энергией Eα ≤ 5.147 МэВ. На переменном токе в интервале частот от 20 Гц до 2 МГц определены значения максимумов индуктивности диодов Рисунок 4. Поверхность пленки ПЭТФ, облученной ионами фосфора с энергией 60 кэВ и дозой 2000 мкКл при соответствующих им постоянных токах смещения 10 и 40 мкА. Получены зависимости максимума низкочастотной индуктивности от флюенса облучения
Abstract (in another language):	Schottky diodes Mo/n-Si (epitaxial layer thin 5 μm, resistivity 0.9 Ohm·cm and 5.5 μm, resistivity 1 Ohm·cm) and Pd/n-Si (epitaxial layer thin 8 μm, resistivity 2.7 Ohm·cm) produced by JSC “Integral” were studied by impedance spectroscopy. Inductance measurements were carried out on the as manufactured diodes and diodes irradiated with alpha particles with kinetic energy Eα ≤ 5.147 MeV. The maximum values of the inductance of the Schottky diodes at the corresponding DC bias currents of 10 and 40 µA were measured on AC in the frequency range from 20 Hz to 2 MHz. The dependences of the maximum low-frequency inductance on the irradiation fluence are obtained
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844
ISBN:	978-985-881-440-3
Sponsorship:	Работа выполнена при поддержке ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
290-295.pdf		819,04 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar