Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Усенко, К. В. | |
| dc.contributor.author | Ковалев, А. И. | |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 290-295. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292844 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Методом импедансной спектроскопии исследованы диоды Шоттки 5КЭФ-0.9, 5.5КЭФ-1 (Mo/n-Si) и 8КЭФ-2.7 (Pd/n-Si) производства ОАО «Интеграл». Измерения индуктивности проводились на исходных диодах и диодах, облученных альфа-частицами с кинетической энергией Eα ≤ 5.147 МэВ. На переменном токе в интервале частот от 20 Гц до 2 МГц определены значения максимумов индуктивности диодов Рисунок 4. Поверхность пленки ПЭТФ, облученной ионами фосфора с энергией 60 кэВ и дозой 2000 мкКл при соответствующих им постоянных токах смещения 10 и 40 мкА. Получены зависимости максимума низкочастотной индуктивности от флюенса облучения | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицами | |
| dc.title.alternative | Impedance of transition metal/n-Si barrier structures irradiated with alpha particles / N. A. Poklonski, K. V. Usenko, A. I. Kovalev, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovski | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Schottky diodes Mo/n-Si (epitaxial layer thin 5 μm, resistivity 0.9 Ohm·cm and 5.5 μm, resistivity 1 Ohm·cm) and Pd/n-Si (epitaxial layer thin 8 μm, resistivity 2.7 Ohm·cm) produced by JSC “Integral” were studied by impedance spectroscopy. Inductance measurements were carried out on the as manufactured diodes and diodes irradiated with alpha particles with kinetic energy Eα ≤ 5.147 MeV. The maximum values of the inductance of the Schottky diodes at the corresponding DC bias currents of 10 and 40 µA were measured on AC in the frequency range from 20 Hz to 2 MHz. The dependences of the maximum low-frequency inductance on the irradiation fluence are obtained | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 290-295.pdf | 819,04 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.