Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292836| Title: | Фотолюминесценция отрицательно заряженных вакансий в алмазе |
| Other Titles: | Photoluminescence of negatively charged vacancies in diamond / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, M. S. Rusetsky, A. V. Mazanik, V. A. Skuratov, A. M. Zaitsev |
| Authors: | Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Русецкий, М. С. Мазаник, А. В. Скуратов, В. А. Зайцев, А. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 259-264. |
| Abstract: | Обнаружена фотолюминесценция (ФЛ) в алмазе, связанная с отрицательно заряженными вакансиями – ND 1-центром. Излучение ND 1-центра состоит из узкой бесфононной линии (БФЛ) на длине волны 393.5 нм (3.150 эВ) и серии линий фононных повторений с энергией квазилокальных колебаний 76 мэВ. Интенсивность ФЛ ND 1-центра линейно связана с флюенсом облучения алмаза высокоэнергетическими ионами Хе и электронами. Спектры ФЛ и поглощения ND 1-центра являются зеркально симметричными. Энергии квазилокальных колебаний ND 1-центра одинаковы как для люминесценции, так и для поглощения |
| Abstract (in another language): | Photoluminescence (PL) of negatively charged vacancies, the ND1 center, has been found in diamond. The emission from the ND1 center consists of narrow zero-phonon line (ZPL) at a wavelength of 393.5 nm (3.150 eV) and vibrational replicas related to quasilocal vibrations of an energy 76 meV. The PL intensity of the ND1 center is linearly related to the fluence of diamond irradiation by high-energy Xe ions and electrons. PL and absorption spectra of ND1 center exhibit very close mirror symmetry. The energies of the quasilocal vibrations of ND1 center are the same for both luminescence and absorption |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292836 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 259-264.pdf | 1,11 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.