Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292836| Заглавие документа: | Фотолюминесценция отрицательно заряженных вакансий в алмазе |
| Другое заглавие: | Photoluminescence of negatively charged vacancies in diamond / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, M. S. Rusetsky, A. V. Mazanik, V. A. Skuratov, A. M. Zaitsev |
| Авторы: | Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Русецкий, М. С. Мазаник, А. В. Скуратов, В. А. Зайцев, А. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 259-264. |
| Аннотация: | Обнаружена фотолюминесценция (ФЛ) в алмазе, связанная с отрицательно заряженными вакансиями – ND 1-центром. Излучение ND 1-центра состоит из узкой бесфононной линии (БФЛ) на длине волны 393.5 нм (3.150 эВ) и серии линий фононных повторений с энергией квазилокальных колебаний 76 мэВ. Интенсивность ФЛ ND 1-центра линейно связана с флюенсом облучения алмаза высокоэнергетическими ионами Хе и электронами. Спектры ФЛ и поглощения ND 1-центра являются зеркально симметричными. Энергии квазилокальных колебаний ND 1-центра одинаковы как для люминесценции, так и для поглощения |
| Аннотация (на другом языке): | Photoluminescence (PL) of negatively charged vacancies, the ND1 center, has been found in diamond. The emission from the ND1 center consists of narrow zero-phonon line (ZPL) at a wavelength of 393.5 nm (3.150 eV) and vibrational replicas related to quasilocal vibrations of an energy 76 meV. The PL intensity of the ND1 center is linearly related to the fluence of diamond irradiation by high-energy Xe ions and electrons. PL and absorption spectra of ND1 center exhibit very close mirror symmetry. The energies of the quasilocal vibrations of ND1 center are the same for both luminescence and absorption |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292836 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 259-264.pdf | 1,11 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.