Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292834| Title: | Влияние термообработки в вакууме на никельсодержащие дефекты в монокристаллах синтетического алмаза |
| Other Titles: | Effect of vacuum heat treatment on nickel-containing defects in synthetic diamond single crystals / G. A. Gusakov, G. V. Sharonov, I. I. Azarko |
| Authors: | Гусаков, Г. А. Шаронов, Г. В. Азарко, И. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 249-254. |
| Abstract: | Исследовано влияние постростовой термообработки в вакууме на дефектно-примесную структуру монокристаллов НРНТ-алмаза, выращенных методом температурного градиента в системе Ni-Fe-C. Показано, что исходные кристаллы НРНТ-алмаза, содержат примесь никеля не только в форме одиночных атомов, но и в форме наноразмерных кластеров. В процессе вакуумного отжига при Т ≥ 800 °C начинается диссоциация этих кластеров. Этот процесс полностью завершается при Т = 1000 °C. При Т > 1100 °C начинается процесс агрегации примесных атомов никеля и азота с образование сложных дефектных комплексов |
| Abstract (in another language): | The effect of post-growth vacuum heat treatment on the defect-impurity structure of HPHT-diamond single crystal grown by the temperature gradient method in the Ni-Fe-C system has been studied. It has been shown that initial HPHT diamond crystal contain nickel impurity not only in the form of single atoms, but also in the form of nanosized clusters. During vacuum annealing at T ≥ 800 °C, the dissociation of these clusters begins. This process is completed at T = 1000 °C. At Т > 1100 °C, the process of aggregation of impurity atoms of nickel and nitrogen begins with the formation of complex defect complexes |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292834 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 249-254.pdf | 690,56 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.