Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292834| Заглавие документа: | Влияние термообработки в вакууме на никельсодержащие дефекты в монокристаллах синтетического алмаза |
| Другое заглавие: | Effect of vacuum heat treatment on nickel-containing defects in synthetic diamond single crystals / G. A. Gusakov, G. V. Sharonov, I. I. Azarko |
| Авторы: | Гусаков, Г. А. Шаронов, Г. В. Азарко, И. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 249-254. |
| Аннотация: | Исследовано влияние постростовой термообработки в вакууме на дефектно-примесную структуру монокристаллов НРНТ-алмаза, выращенных методом температурного градиента в системе Ni-Fe-C. Показано, что исходные кристаллы НРНТ-алмаза, содержат примесь никеля не только в форме одиночных атомов, но и в форме наноразмерных кластеров. В процессе вакуумного отжига при Т ≥ 800 °C начинается диссоциация этих кластеров. Этот процесс полностью завершается при Т = 1000 °C. При Т > 1100 °C начинается процесс агрегации примесных атомов никеля и азота с образование сложных дефектных комплексов |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of post-growth vacuum heat treatment on the defect-impurity structure of HPHT-diamond single crystal grown by the temperature gradient method in the Ni-Fe-C system has been studied. It has been shown that initial HPHT diamond crystal contain nickel impurity not only in the form of single atoms, but also in the form of nanosized clusters. During vacuum annealing at T ≥ 800 °C, the dissociation of these clusters begins. This process is completed at T = 1000 °C. At Т > 1100 °C, the process of aggregation of impurity atoms of nickel and nitrogen begins with the formation of complex defect complexes |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292834 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 249-254.pdf | 690,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.