Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292832| Title: | Влияние буферных слоев SiGe на формирование структур SiC/Si |
| Other Titles: | Effect of SiGe buffer layers on the formation of SiC/Si structures / P. I. Gaiduk |
| Authors: | Гайдук, П. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 239-244. |
| Abstract: | Исследованы режимы выращивания тонких слоев карбида кремния на кремниевых подложках с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии буферных слоев SiGe и последующего электронно-лучевого испарения углерода на подложку SiGe/Si. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано формирование эпитаксиальных слоев кубического карбида кремния, структурное качество которых улучшается при использовании буферных слоев. В частности, буферные SiGe слои на границе раздела Si/SiC приводят к уменьшению плотности микродвойников и уменьшению шероховатость поверхности |
| Abstract (in another language): | Epitaxial growth of thin SiC layers on silicon substrates with or without SiGe buffer layers is studied. Transmission electron microscopy has shown the formation of epitaxial layers of cubic silicon carbide, the structural quality of which improves when SiGe buffer layers are used. In particular, SiGe buffer layers at the Si/SiC interface lead to a decrease in the density of microtwins and stacking faults and a decrease in surface roughness |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292832 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Исследования выполнены в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ ГР 20221052), а также проекта ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 239-244.pdf | 1,31 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.