Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292832Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:58Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:58Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 239-244. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292832 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Исследованы режимы выращивания тонких слоев карбида кремния на кремниевых подложках с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии буферных слоев SiGe и последующего электронно-лучевого испарения углерода на подложку SiGe/Si. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано формирование эпитаксиальных слоев кубического карбида кремния, структурное качество которых улучшается при использовании буферных слоев. В частности, буферные SiGe слои на границе раздела Si/SiC приводят к уменьшению плотности микродвойников и уменьшению шероховатость поверхности | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ ГР 20221052), а также проекта ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние буферных слоев SiGe на формирование структур SiC/Si | |
| dc.title.alternative | Effect of SiGe buffer layers on the formation of SiC/Si structures / P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Epitaxial growth of thin SiC layers on silicon substrates with or without SiGe buffer layers is studied. Transmission electron microscopy has shown the formation of epitaxial layers of cubic silicon carbide, the structural quality of which improves when SiGe buffer layers are used. In particular, SiGe buffer layers at the Si/SiC interface lead to a decrease in the density of microtwins and stacking faults and a decrease in surface roughness | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 239-244.pdf | 1,31 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.