Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292816| Заглавие документа: | Дипольный момент электрического конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор» |
| Другое заглавие: | Dipole moment of electric capacitor with working substance “insulator – intrinsic semiconductor – insulator” / N. A. Poklonski, I. I. Anikeev, S. A. Vyrko |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Аникеев, И. И. Вырко, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 174-180. |
| Аннотация: | Предложена модель конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор». В качестве примера рассмотрен слой собственного кристаллического кремния (i-Si) различной толщины, отделенный от металлических обкладок конденсатора тонкими слоями изолятора (поликристаллического алмаза). Удельный индуцированный электрический дипольный момент слоя кремния рассчитан как функция электрического напряжения на металлических обкладках для различных толщин слоя i-Si при температуре 300 К. Показано, что с увеличением напряжения на металлических обкладках и толщины i-Si величина его электрического дипольного момента монотонно увеличивается |
| Аннотация (на другом языке): | A model of a capacitor with the working substance “insulator – intrinsic semiconductor – insulator” is proposed. As an example, a layer of intrinsic crystalline silicon (i-Si) of various thicknesses, separated from the metal plates of the capacitor by thin layers of insulator (polycrystalline diamond), is considered. The specific induced electric dipole moment of silicon layer as function of the electric voltage on the metal plates is calculated for different thicknesses of the i-Si layer at temperature of 300 K. It is shown that the magnitude of the electric dipole moment of the i-Si increases monotonically with the voltage on the metal plates and the thickness of i-Si |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292816 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке гранта Министерства образования Республики Беларусь и ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 174-180.pdf | 499,44 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.