Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292816| Title: | Дипольный момент электрического конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор» |
| Other Titles: | Dipole moment of electric capacitor with working substance “insulator – intrinsic semiconductor – insulator” / N. A. Poklonski, I. I. Anikeev, S. A. Vyrko |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Аникеев, И. И. Вырко, С. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 174-180. |
| Abstract: | Предложена модель конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор». В качестве примера рассмотрен слой собственного кристаллического кремния (i-Si) различной толщины, отделенный от металлических обкладок конденсатора тонкими слоями изолятора (поликристаллического алмаза). Удельный индуцированный электрический дипольный момент слоя кремния рассчитан как функция электрического напряжения на металлических обкладках для различных толщин слоя i-Si при температуре 300 К. Показано, что с увеличением напряжения на металлических обкладках и толщины i-Si величина его электрического дипольного момента монотонно увеличивается |
| Abstract (in another language): | A model of a capacitor with the working substance “insulator – intrinsic semiconductor – insulator” is proposed. As an example, a layer of intrinsic crystalline silicon (i-Si) of various thicknesses, separated from the metal plates of the capacitor by thin layers of insulator (polycrystalline diamond), is considered. The specific induced electric dipole moment of silicon layer as function of the electric voltage on the metal plates is calculated for different thicknesses of the i-Si layer at temperature of 300 K. It is shown that the magnitude of the electric dipole moment of the i-Si increases monotonically with the voltage on the metal plates and the thickness of i-Si |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292816 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке гранта Министерства образования Республики Беларусь и ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 174-180.pdf | 499,44 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.