Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292815| Заглавие документа: | Генерация носителей заряда в кремнии терагерцевыми импульсами |
| Другое заглавие: | Generation of charge carriers by terahertz pulses in silicon / D. A. Podryabinkin, A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, I. V. Komissarov, S. L. Prischepa |
| Авторы: | Подрябинкин, Д. А. Трафименко, А. Г. Данилюк, А. Л. Комиссаров, И. В. Прищепа, С. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 168-174. |
| Аннотация: | Представлены результаты моделирования генерации электронов при воздействии ТГц импульсов длительностью 2–4 пс в приповерхностном слое кремния протяженностью 4,5 мкм. Показано, что для гармонического ТГц импульса длительностью 2 пс достигается концентрация электронов 10 19 –10 22 см−3 при напряженности поля 10–12 МВ/см. Установлены закономерности влияния напряженности поля, периода и длительности гармонического ТГц импульса на динамику генерации электронов |
| Аннотация (на другом языке): | The simulation results of electron generation under the influence of THz pulses with a duration of 2-4 ps in a near-surface silicon layer with a length of 4.5 μm are presented. It is shown that for a harmonic THz pulse with a duration of 2 ps, an electron concentration of 10 19 –10 22 cm−3 is achieved at a field strength of 10–12 MV/cm. The regularities of the influence of the field strength, the period and duration of the harmonic THz pulse on the electron generation dynamics are revealed |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292815 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 168-174.pdf | 634,8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.