Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292815
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПодрябинкин, Д. А.
dc.contributor.authorТрафименко, А. Г.
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.
dc.contributor.authorКомиссаров, И. В.
dc.contributor.authorПрищепа, С. Л.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:55Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:55Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 168-174.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292815-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования генерации электронов при воздействии ТГц импульсов длительностью 2–4 пс в приповерхностном слое кремния протяженностью 4,5 мкм. Показано, что для гармонического ТГц импульса длительностью 2 пс достигается концентрация электронов 10 19 –10 22 см−3 при напряженности поля 10–12 МВ/см. Установлены закономерности влияния напряженности поля, периода и длительности гармонического ТГц импульса на динамику генерации электронов
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleГенерация носителей заряда в кремнии терагерцевыми импульсами
dc.title.alternativeGeneration of charge carriers by terahertz pulses in silicon / D. A. Podryabinkin, A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, I. V. Komissarov, S. L. Prischepa
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe simulation results of electron generation under the influence of THz pulses with a duration of 2-4 ps in a near-surface silicon layer with a length of 4.5 μm are presented. It is shown that for a harmonic THz pulse with a duration of 2 ps, an electron concentration of 10 19 –10 22 cm−3 is achieved at a field strength of 10–12 MV/cm. The regularities of the influence of the field strength, the period and duration of the harmonic THz pulse on the electron generation dynamics are revealed
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
168-174.pdf634,8 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.