Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292802| Заглавие документа: | Диагностика поверхностных и заглубленных слоев в твердокристаллических структурах методами спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации |
| Другое заглавие: | Diagnostics of surface and buried layers in solid crystal structures by spectral ellipsometry methods with binary polarization state modulation / V. V. Kovalev, V.I. Kovalev |
| Авторы: | Ковалев, В. В. Ковалев, В. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 107-113. |
| Аннотация: | В этой статье мы рассматриваем последние достижения в области аппаратуры для многоканальной спектроскопической эллипсометрии и ее применения для быстрого анализа материалов с тонкими и объемными слоями. Ключевая техника бинарной модуляции поляризации используется для достижения высокой стабильности и воспроизводимости измерений. При калибровке предлагаемого прибора был измерен профиль толщины нанопленки SiO2 на кремниевой подложке. Для алмазных структур с заглубленным графитизированным слоем данные спектроскопической эллипсометрии в диапазоне 360–1050 нм аппроксимированы на основе многослойной модели, учитывающей неоднородный профиль радиационного повреждений в ионно-имплантированных алмазах. С учетом данных оптической спектроскопии, атомно-силовой и интерферометрической микроскопии белого света определены спектры коэффициента поглощения, показателя преломления, а также геометрические параметры заглубленного графитированного слоя в ионно-имплантированных алмазах |
| Аннотация (на другом языке): | In this article we review recent advances in multichannel spectroscopic ellipsometry instrumentation and its applications to the rapid analysis of thin and bulk materials. The key technique of binary polarization modulation is used to achieve high measurement stability and reproducibility. In calibrating the proposed instrument, the thickness profile of the SiO2 nanofilm on a silicon substrate was measured. For diamond structures with a buried graphitized layer, the spectroscopic ellipsometry data in the range of 360–1050 nm were approximated based on a multilayer model taking into account the non-uniform radiation damage profile in the ion-implanted diamonds. Taking into account the data of optical spectroscopy, atomic-force and interferometric microscopy of white light, the spectra of absorption coefficient, refractive index, as well as geometrical parameters of the buried graphitized layer in ion-implanted diamonds were determined |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292802 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 22-72-10108 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 107-113.pdf | 998,38 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.