Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292802| Title: | Диагностика поверхностных и заглубленных слоев в твердокристаллических структурах методами спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации |
| Other Titles: | Diagnostics of surface and buried layers in solid crystal structures by spectral ellipsometry methods with binary polarization state modulation / V. V. Kovalev, V.I. Kovalev |
| Authors: | Ковалев, В. В. Ковалев, В. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 107-113. |
| Abstract: | В этой статье мы рассматриваем последние достижения в области аппаратуры для многоканальной спектроскопической эллипсометрии и ее применения для быстрого анализа материалов с тонкими и объемными слоями. Ключевая техника бинарной модуляции поляризации используется для достижения высокой стабильности и воспроизводимости измерений. При калибровке предлагаемого прибора был измерен профиль толщины нанопленки SiO2 на кремниевой подложке. Для алмазных структур с заглубленным графитизированным слоем данные спектроскопической эллипсометрии в диапазоне 360–1050 нм аппроксимированы на основе многослойной модели, учитывающей неоднородный профиль радиационного повреждений в ионно-имплантированных алмазах. С учетом данных оптической спектроскопии, атомно-силовой и интерферометрической микроскопии белого света определены спектры коэффициента поглощения, показателя преломления, а также геометрические параметры заглубленного графитированного слоя в ионно-имплантированных алмазах |
| Abstract (in another language): | In this article we review recent advances in multichannel spectroscopic ellipsometry instrumentation and its applications to the rapid analysis of thin and bulk materials. The key technique of binary polarization modulation is used to achieve high measurement stability and reproducibility. In calibrating the proposed instrument, the thickness profile of the SiO2 nanofilm on a silicon substrate was measured. For diamond structures with a buried graphitized layer, the spectroscopic ellipsometry data in the range of 360–1050 nm were approximated based on a multilayer model taking into account the non-uniform radiation damage profile in the ion-implanted diamonds. Taking into account the data of optical spectroscopy, atomic-force and interferometric microscopy of white light, the spectra of absorption coefficient, refractive index, as well as geometrical parameters of the buried graphitized layer in ion-implanted diamonds were determined |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292802 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 22-72-10108 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 107-113.pdf | 998,38 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.