Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292799| Заглавие документа: | Влияние электронейтральных атомов никеля на рекомбинационные параметры кремния |
| Другое заглавие: | Effect of electroneutral nickel atoms on the recombination parameters of silicon / B. K. Ismaylov, V. B. Odzhaev, N. F. Zikrillaev, K. A. Ismailov, Z. T. Kenzhaev, G. Kh. Mavlonov |
| Авторы: | Исмайлов, Б. К. Оджаев, В. Б. Зикриллаев, Н. Ф. Исмаилов, К. А. Кенжаев, З. Т. Мавлонов, Г. Х. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 94-97. |
| Аннотация: | Показано, что при наличии электронейтральных атомов никеля можно практически полностью подавлять генерацию термодоноров, которые появляются в диапазоне температур T = 450–200 °С. Экспериментально было показано, что дополнительное легированием кремния никелем при T = 1100–1200 °С, позволяет обеспечить достаточно высокую термостабильность его электрических параметров в широком диапазоне температур |
| Аннотация (на другом языке): | It is shown that in the presence of electrically neutral nickel atoms, it is possible to almost completely suppress the generation of thermal donors, which appears in the temperature range T = 450–1200 °С. It has been experimentally shown that with additional alloying of silicon with nickel at T = 1100–1200 °С, it makes it possible to provide a sufficiently high thermal stability of its electrical parameters in a wide temperature range |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292799 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.