Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292799Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Исмайлов, Б. К. | |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | |
| dc.contributor.author | Зикриллаев, Н. Ф. | |
| dc.contributor.author | Исмаилов, К. А. | |
| dc.contributor.author | Кенжаев, З. Т. | |
| dc.contributor.author | Мавлонов, Г. Х. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 94-97. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292799 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Показано, что при наличии электронейтральных атомов никеля можно практически полностью подавлять генерацию термодоноров, которые появляются в диапазоне температур T = 450–200 °С. Экспериментально было показано, что дополнительное легированием кремния никелем при T = 1100–1200 °С, позволяет обеспечить достаточно высокую термостабильность его электрических параметров в широком диапазоне температур | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние электронейтральных атомов никеля на рекомбинационные параметры кремния | |
| dc.title.alternative | Effect of electroneutral nickel atoms on the recombination parameters of silicon / B. K. Ismaylov, V. B. Odzhaev, N. F. Zikrillaev, K. A. Ismailov, Z. T. Kenzhaev, G. Kh. Mavlonov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It is shown that in the presence of electrically neutral nickel atoms, it is possible to almost completely suppress the generation of thermal donors, which appears in the temperature range T = 450–1200 °С. It has been experimentally shown that with additional alloying of silicon with nickel at T = 1100–1200 °С, it makes it possible to provide a sufficiently high thermal stability of its electrical parameters in a wide temperature range | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.