Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796| Title: | Температурная зависимость оптического поглощения тонких пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 |
| Other Titles: | Temperature dependence of optical absorption of thin films of CuIn1-xGaxSe2 solid solutions / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, A. V. Hatsak, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, M. V. Yakushev |
| Authors: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Бородавченко, О. М. Гацак, А. В. Павловский, В. П. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. Якушев, М. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 83-88. |
| Abstract: | Измерены оптическое пропускание и отражение тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с составами x = 0,34 и x = 0,41 при температурах 20, 80 и 300 K. Определена оптическая ширина запрещенной зоны Eg для двух составов тонких пленок CuIn1-xGaxSe2. Ширина запрещенной зоны для тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,34 составила 1,256 эВ, 1,256 эВ и 1,237 эВ при температурах 20, 80 и 300 K, а для х = 0,41–1,387 эВ, 1,377 эВ и 1,290 эВ, соответственно. Обнаруженный эффект аномально большого температурного смещения на 97 мэВ оптической ширины запрещенной зоны твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,41 обусловлен термическим перераспределением носителей заряда на энергетических уровнях в потенциальных ямах разрешенных зон, обусловленных флуктуациями состава и электростатического потенциала в пленке |
| Abstract (in another language): | The optical transmission and reflection of CuIn1-xGaxSe2 thin films with compositions x = 0.34 and x = 0.41 were measured at temperatures of 20, 80, and 300 K. The optical band gap Eg was determined for the two compositions of the films. The bandgap for CuIn1-xGaxSe2 thin films with x = 0.34 was 1.256 eV, 1.256 eV and 1.237 eV at the temperatures 20, 80 and 300 K, whereas for x = 0.41 Eg was 1.387 eV, 1.377 eV and 1.290 eV, respectively. The detected effect of the anomalously large temperature shift of 97 meV of the optical band gap of CuIn1-xGaxSe2 solid solution with х = 0.41 is due to thermal redistribution of charge carriers at energy levels in potential wells of the allowed bands due to presence of space composition fluctuations and electrostatic potential fluctuations in the film |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Sponsorship: | Работа выполнена по программе ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма 8.1 (задание 1.4.4) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.