Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Живулько, В. Д. | |
| dc.contributor.author | Мудрый, А. В. | |
| dc.contributor.author | Бородавченко, О. М. | |
| dc.contributor.author | Гацак, А. В. | |
| dc.contributor.author | Павловский, В. П. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.contributor.author | Яблонский, Г. П. | |
| dc.contributor.author | Якушев, М. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 83-88. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Измерены оптическое пропускание и отражение тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с составами x = 0,34 и x = 0,41 при температурах 20, 80 и 300 K. Определена оптическая ширина запрещенной зоны Eg для двух составов тонких пленок CuIn1-xGaxSe2. Ширина запрещенной зоны для тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,34 составила 1,256 эВ, 1,256 эВ и 1,237 эВ при температурах 20, 80 и 300 K, а для х = 0,41–1,387 эВ, 1,377 эВ и 1,290 эВ, соответственно. Обнаруженный эффект аномально большого температурного смещения на 97 мэВ оптической ширины запрещенной зоны твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,41 обусловлен термическим перераспределением носителей заряда на энергетических уровнях в потенциальных ямах разрешенных зон, обусловленных флуктуациями состава и электростатического потенциала в пленке | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена по программе ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма 8.1 (задание 1.4.4) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Температурная зависимость оптического поглощения тонких пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 | |
| dc.title.alternative | Temperature dependence of optical absorption of thin films of CuIn1-xGaxSe2 solid solutions / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, A. V. Hatsak, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, M. V. Yakushev | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The optical transmission and reflection of CuIn1-xGaxSe2 thin films with compositions x = 0.34 and x = 0.41 were measured at temperatures of 20, 80, and 300 K. The optical band gap Eg was determined for the two compositions of the films. The bandgap for CuIn1-xGaxSe2 thin films with x = 0.34 was 1.256 eV, 1.256 eV and 1.237 eV at the temperatures 20, 80 and 300 K, whereas for x = 0.41 Eg was 1.387 eV, 1.377 eV and 1.290 eV, respectively. The detected effect of the anomalously large temperature shift of 97 meV of the optical band gap of CuIn1-xGaxSe2 solid solution with х = 0.41 is due to thermal redistribution of charge carriers at energy levels in potential wells of the allowed bands due to presence of space composition fluctuations and electrostatic potential fluctuations in the film | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.