Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292794
Заглавие документа: | Многоуровневые электрические межсоединения субмикронных интегральных схем |
Другое заглавие: | Multi-level electrical interconnections of submicronic integral circuits / V. V. Emelyanov |
Авторы: | Емельянов, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2022 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 73-78. |
Аннотация: | Формирование поперечного профиля токоведущих дорожек в форме равнобочной трапеции с углами при нижнем основании, равными 75–85°. Это приводит к устранению эффекта экранирования при последующем осаждении диэлектрика, предотвращению его преимущественного роста в верхней части канавок между дорожками и полному заполнению углублений топологического рельефа материалом диэлектрика и далее материалом последующего слоя |
Аннотация (на другом языке): | Formation of the transverse profile of current-carrying tracks in the form of an isosceles trapezoid with angles at the lower base equal to 75–85°. This leads to the elimination of the shielding effect during the subsequent deposition of the dielectric, the prevention of its predominant growth in the upper part of the grooves between the tracks, and the complete filling of the depressions of the topological relief with the dielectric material and then with the material of the next layer |
Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292794 |
ISBN: | 978-985-881-440-3 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.