Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292794Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Емельянов, В. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:51Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:51Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 73-78. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292794 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Формирование поперечного профиля токоведущих дорожек в форме равнобочной трапеции с углами при нижнем основании, равными 75–85°. Это приводит к устранению эффекта экранирования при последующем осаждении диэлектрика, предотвращению его преимущественного роста в верхней части канавок между дорожками и полному заполнению углублений топологического рельефа материалом диэлектрика и далее материалом последующего слоя | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Многоуровневые электрические межсоединения субмикронных интегральных схем | |
| dc.title.alternative | Multi-level electrical interconnections of submicronic integral circuits / V. V. Emelyanov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Formation of the transverse profile of current-carrying tracks in the form of an isosceles trapezoid with angles at the lower base equal to 75–85°. This leads to the elimination of the shielding effect during the subsequent deposition of the dielectric, the prevention of its predominant growth in the upper part of the grooves between the tracks, and the complete filling of the depressions of the topological relief with the dielectric material and then with the material of the next layer | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.