Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292757
Title: Формирование контактных соединений фотоприемной матрицы с кремниевым мультиплексором
Other Titles: Formation of contact connections of a photoreceptor matrix with a silicon multiplexer / A. E. Vidritsky, V. L. Lanin
Authors: Видрицкий, А. Э.
Ланин, В. Л.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2022
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 43-47.
Abstract: Рассмотрен процесс формирования контактных соединений фотоприемной матрицы (ФПМ) и кремниевого мультиплексора (КМ) методом перевернутого кристалла (Flip-chip), когда каждый фоточувствительный p–n-переход ФПМ соединяется со своей входной ячейкой КМ через столбики связи – бампы. В качестве материала столбиков применен индий благодаря его хорошей адгезии к контактным площадкам КМ и ФПМ, пластичности и механической прочности контактных соединений. Установлены оптимальные режимы процесса присоединения кристаллов оплавлением индиевых бампов на монтажной станции Fineplacer Sigma
Abstract (in another language): The process of forming contact connections of a photodetector matrix (PPM) and a silicon multiplexer (CM) by the flip-chip method is considered, when each photosensitive p–n-junction of the PPM is connected to its input cell of the CM through communication columns - bumps. Indium was used as the material of the columns due to its good adhesion to the contact pads of the KM and FPM, plasticity and mechanical strength of the contact joints. The optimal parameters for the process of joining crystals by reflowing indium bumps at the Fineplacer Sigma mounting station were established
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292757
ISBN: 978-985-881-440-3
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
43-47.pdf573,06 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.