Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292757Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Видрицкий, А. Э. | |
| dc.contributor.author | Ланин, В. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:45Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:45Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 43-47. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292757 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Рассмотрен процесс формирования контактных соединений фотоприемной матрицы (ФПМ) и кремниевого мультиплексора (КМ) методом перевернутого кристалла (Flip-chip), когда каждый фоточувствительный p–n-переход ФПМ соединяется со своей входной ячейкой КМ через столбики связи – бампы. В качестве материала столбиков применен индий благодаря его хорошей адгезии к контактным площадкам КМ и ФПМ, пластичности и механической прочности контактных соединений. Установлены оптимальные режимы процесса присоединения кристаллов оплавлением индиевых бампов на монтажной станции Fineplacer Sigma | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Формирование контактных соединений фотоприемной матрицы с кремниевым мультиплексором | |
| dc.title.alternative | Formation of contact connections of a photoreceptor matrix with a silicon multiplexer / A. E. Vidritsky, V. L. Lanin | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The process of forming contact connections of a photodetector matrix (PPM) and a silicon multiplexer (CM) by the flip-chip method is considered, when each photosensitive p–n-junction of the PPM is connected to its input cell of the CM through communication columns - bumps. Indium was used as the material of the columns due to its good adhesion to the contact pads of the KM and FPM, plasticity and mechanical strength of the contact joints. The optimal parameters for the process of joining crystals by reflowing indium bumps at the Fineplacer Sigma mounting station were established | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.