Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292756
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Teterukov, E. V. | |
dc.contributor.author | Kolesnikova, E. A. | |
dc.contributor.author | Uglov, V. V. | |
dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:45Z | - |
dc.date.available | 2023-01-26T10:06:45Z | - |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 5-9. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292756 | - |
dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
dc.description.abstract | Thin films of indium antimonide deposited in vacuum on a single-crystal gallium arsenide substrate by explosive thermal evaporation at a temperature of 375 °C and by molecular beam epitaxy at a temperature of 420 °C were studied. The morphology and crystal structure of the obtained films were studied by atomic force microscopy and high-resolution X-ray diffractometry. Features of the surface of films formed by molecular beam epitaxy are revealed. It is shown that the structural properties of indium antimonide films obtained by two methods on single-crystal gallium arsenide substrates are similar | |
dc.description.sponsorship | The work was financial supported by the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research and Ministry of Education of the Republic of Belarus under the Grant № Т22MV-008 | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Surface morphology and crystal structure of indium antimonide films | |
dc.type | conference paper | |
Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.