Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292756| Заглавие документа: | Surface morphology and crystal structure of indium antimonide films |
| Авторы: | Teterukov, E. V. Kolesnikova, E. A. Uglov, V. V. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 5-9. |
| Аннотация: | Thin films of indium antimonide deposited in vacuum on a single-crystal gallium arsenide substrate by explosive thermal evaporation at a temperature of 375 °C and by molecular beam epitaxy at a temperature of 420 °C were studied. The morphology and crystal structure of the obtained films were studied by atomic force microscopy and high-resolution X-ray diffractometry. Features of the surface of films formed by molecular beam epitaxy are revealed. It is shown that the structural properties of indium antimonide films obtained by two methods on single-crystal gallium arsenide substrates are similar |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292756 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | The work was financial supported by the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research and Ministry of Education of the Republic of Belarus under the Grant № Т22MV-008 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.