Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/283253| Заглавие документа: | Оптические параметры Si, Ge, GaAs и InSb, расплавленных импульсным лазерным нагревом |
| Авторы: | Гацкевич, Е. И. Ивлев, Г. Д. Жвавый, С. П. Шараев, Д. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2002 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Лазерная и оптико-электронная техника : сб. науч. ст. Вып. 7 / [редкол.: И.С. Манак (отв. ред.) и др.]. – Минск : БГУ, 2002. – С. 132-137. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/283253 |
| ISBN: | 985-6432-95-2 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке БРФФИ по проекту Ф99-184 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Лазерная и оптико-электронная техника. Выпуск 7 (2002) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 132-137.pdf | 217,59 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.