Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/283253| Title: | Оптические параметры Si, Ge, GaAs и InSb, расплавленных импульсным лазерным нагревом |
| Authors: | Гацкевич, Е. И. Ивлев, Г. Д. Жвавый, С. П. Шараев, Д. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Лазерная и оптико-электронная техника : сб. науч. ст. Вып. 7 / [редкол.: И.С. Манак (отв. ред.) и др.]. – Минск : БГУ, 2002. – С. 132-137. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/283253 |
| ISBN: | 985-6432-95-2 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке БРФФИ по проекту Ф99-184 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Лазерная и оптико-электронная техника. Выпуск 7 (2002) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 132-137.pdf | 217,59 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.