Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28304| Title: | ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА МОП СТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ Ge |
| Authors: | Новиков, А. Г. Наливайко, О. Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2011 |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Abstract: | Проведены исследования структур Si/SiO2 с нанокристаллами Ge, сформированных путем химического осаждения из газовой фазы тонких слоев SiGe сплавов, их легирования ионами бора и фосфора и последующего термического окисления. Легирование ионами бора и фосфора проводилось при энергиях 20 и 60 кэВ соответственно через предва- рительно нанесенный буферный слой фосфоросиликатного стекла в диапазоне флюенсов 2*1013 – 2*1015 см-2. Путем измерения вольт-фарадных характеристик изучено влияние предварительного легирования SiGe слоев на электрофи- зические свойства полученных МОП конденсаторов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28304 |
| Appears in Collections: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Новиков АГ.pdf | 282,84 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.