Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28304Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Новиков, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-01-08T12:16:25Z | - |
| dc.date.available | 2013-01-08T12:16:25Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28304 | - |
| dc.description.abstract | Проведены исследования структур Si/SiO2 с нанокристаллами Ge, сформированных путем химического осаждения из газовой фазы тонких слоев SiGe сплавов, их легирования ионами бора и фосфора и последующего термического окисления. Легирование ионами бора и фосфора проводилось при энергиях 20 и 60 кэВ соответственно через предва- рительно нанесенный буферный слой фосфоросиликатного стекла в диапазоне флюенсов 2*1013 – 2*1015 см-2. Путем измерения вольт-фарадных характеристик изучено влияние предварительного легирования SiGe слоев на электрофи- зические свойства полученных МОП конденсаторов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА МОП СТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ Ge | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Новиков АГ.pdf | 282,84 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.