ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА МОП СТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ Ge

Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28304

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Новиков, А. Г.	-
dc.contributor.author	Наливайко, О. Ю.	-
dc.date.accessioned	2013-01-08T12:16:25Z	-
dc.date.available	2013-01-08T12:16:25Z	-
dc.date.issued	2011	-
dc.identifier.citation	Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.	ru
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/28304	-
dc.description.abstract	Проведены исследования структур Si/SiO2 с нанокристаллами Ge, сформированных путем химического осаждения из газовой фазы тонких слоев SiGe сплавов, их легирования ионами бора и фосфора и последующего термического окисления. Легирование ионами бора и фосфора проводилось при энергиях 20 и 60 кэВ соответственно через предва- рительно нанесенный буферный слой фосфоросиликатного стекла в диапазоне флюенсов 21013 – 21015 см-2. Путем измерения вольт-фарадных характеристик изучено влияние предварительного легирования SiGe слоев на электрофи- зические свойства полученных МОП конденсаторов.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА МОП СТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ Ge	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Новиков АГ.pdf		282,84 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar