Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28245
Title: ДРЕЙФОВЫЕ БАРЬЕРЫ В n-Si, ОБЛУЧЁННОМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА, В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ФЛЮЕНСА, ТЕМПЕРАТУРЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ОТЖИГА
Authors: Долголенко, А. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2011
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Abstract: Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движения электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчи- таны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ0 = 40 Ω·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Показано изменение дрейфовых барьеров в проводящей матрице кремния n-типа в зависимости от температуры отжига.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28245
Appears in Collections:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Долголенко.pdf291,59 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.