Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28245Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Долголенко, А. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-01-08T08:07:55Z | - |
| dc.date.available | 2013-01-08T08:07:55Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28245 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движения электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчи- таны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ0 = 40 Ω·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Показано изменение дрейфовых барьеров в проводящей матрице кремния n-типа в зависимости от температуры отжига. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ДРЕЙФОВЫЕ БАРЬЕРЫ В n-Si, ОБЛУЧЁННОМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА, В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ФЛЮЕНСА, ТЕМПЕРАТУРЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ОТЖИГА | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Долголенко.pdf | 291,59 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.