Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28245
Заглавие документа: ДРЕЙФОВЫЕ БАРЬЕРЫ В n-Si, ОБЛУЧЁННОМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА, В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ФЛЮЕНСА, ТЕМПЕРАТУРЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ОТЖИГА
Авторы: Долголенко, А. П.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2011
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Аннотация: Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движения электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчи- таны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ0 = 40 Ω·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Показано изменение дрейфовых барьеров в проводящей матрице кремния n-типа в зависимости от температуры отжига.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28245
Располагается в коллекциях:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Долголенко.pdf291,59 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.