Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28245
Заглавие документа: | ДРЕЙФОВЫЕ БАРЬЕРЫ В n-Si, ОБЛУЧЁННОМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА, В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ФЛЮЕНСА, ТЕМПЕРАТУРЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ОТЖИГА |
Авторы: | Долголенко, А. П. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2011 |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
Аннотация: | Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движения электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчи- таны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ0 = 40 Ω·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Показано изменение дрейфовых барьеров в проводящей матрице кремния n-типа в зависимости от температуры отжига. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28245 |
Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Долголенко.pdf | 291,59 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.