Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/281672| Title: | Разработать технологию создания полупроводниковых приборов (преобразователи холла, терморезисторы) из гетероэпитаксиальных структур антимонида индия для нового поколения миниатюрных датчиков физических величин, работающих в условиях открытого космоса. НТП «Разработка комплексных технологий создания материалов, устройств и ключевых элементов космических средств и перспективной продукции других отраслей» («Технология-СГ») : отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. В. Углов |
| Authors: | Углов, В. В. Кулешов, А. К. Русальский, Д. П. Рыжковская, Д. С. Колесникова, Е. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::МЕЖОТРАСЛЕВЫЕ ПРОБЛЕМЫ::Космические исследования ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Транспорт ЭБ БГУ::МЕЖОТРАСЛЕВЫЕ ПРОБЛЕМЫ::Общие и комплексные проблемы технических и прикладных наук и отраслей народного хозяйства |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Abstract: | Объектами разработки являлись: технология изготовления гетероэпитаксиальных структур n-InSb-i-GaAs и датчиков на их основе: преобразователь Холла, преобразователь угловых перемещений, терморезистор. Целью данного проекта была разработка технологии изготовления полупроводниковых приборов из гетероэпитаксиальных структур антимонида индия для нового поколения миниатюрных датчиков физических величин, работающих в условиях открытого космоса для повышения энерго- и экономической эффективности космических аппаратов, изготовление опытных образцов миниатюрного преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Были использованы следующие методы исследований: измерение электрических и магнитных характеристик, измерение габаритных размеров. В результате выполнения была разработана технология на процесс вакуумной эпитаксии гетероэпитаксиальных структур антимонида индия на полуизолирующем арсениде галлия n-InSb-i-GaAs на основе метода взрывной вакуумной эпитаксии. На основе разработанной технологии был разработан и изготовлен типоряд датчиков на основе структур n-InSb-i-GaAs – преобразователи Холла, преобразователи угловых перемещений, терморезисторы, пригодные для использования в условиях открытого космоса. Разработанные в данной НИР технология и датчики обладают высокой энергоэффективностью, позволяя значительно снижать энергетические и материальные затраты на надежную работу космической и авиационной техники, а также могут быть использованы в других областях техники. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/281672 |
| Registration number: | Рег. № НИОКТР 20164227 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/closedAccess |
| Appears in Collections: | Отчеты 2020 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Отчет 20164227 Углов.doc | 1,39 MB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.