Разработать технологию создания полупроводниковых приборов (преобразователи холла, терморезисторы) из гетероэпитаксиальных структур антимонида индия для нового поколения миниатюрных датчиков физических величин, работающих в условиях открытого космоса. НТП «Разработка комплексных технологий создания материалов, устройств и ключевых элементов космических средств и перспективной продукции других отраслей» («Технология-СГ») : отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. В. Углов

Abstract

Объектами разработки являлись: технология изготовления гетероэпитаксиальных структур n-InSb-i-GaAs и датчиков на их основе: преобразователь Холла, преобразователь угловых перемещений, терморезистор. Целью данного проекта была разработка технологии изготовления полупроводниковых приборов из гетероэпитаксиальных структур антимонида индия для нового поколения миниатюрных датчиков физических величин, работающих в условиях открытого космоса для повышения энерго- и экономической эффективности космических аппаратов, изготовление опытных образцов миниатюрного преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Были использованы следующие методы исследований: измерение электрических и магнитных характеристик, измерение габаритных размеров. В результате выполнения была разработана технология на процесс вакуумной эпитаксии гетероэпитаксиальных структур антимонида индия на полуизолирующем арсениде галлия n-InSb-i-GaAs на основе метода взрывной вакуумной эпитаксии. На основе разработанной технологии был разработан и изготовлен типоряд датчиков на основе структур n-InSb-i-GaAs – преобразователи Холла, преобразователи угловых перемещений, терморезисторы, пригодные для использования в условиях открытого космоса. Разработанные в данной НИР технология и датчики обладают высокой энергоэффективностью, позволяя значительно снижать энергетические и материальные затраты на надежную работу космической и авиационной техники, а также могут быть использованы в других областях техники.