Моделирование инжекционных лазеров на основе HgTe/CdHgTe гетероструктур с квантовыми ямами, излучающих в области частот фононного резонанса GaAs

Abstract

На основе динамической распределенной диффузионно-дрейфовой модели лазерных гетероструктур, учитывающей процессы электронного и дырочного захвата в квантовые ямы, излучательную и безызлучательную Оже рекомбинации, а также нагрев активной области, теоретически продемонстрирована возможность получения генерации при инжекционной накачке квантовых ям HgTe в диапазоне длин волн 26–30 мкм при температурах до 90 К. Показано, что при внешней температуре 70 К средняя выходная мощность за импульс 1 мкс может достигать ~9 мВт.